[实用新型]基于硅纳米线阵列的微富集器芯片有效
| 申请号： | 201920951256.9 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN210825412U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;赵斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，包括：衬底，且所述衬底中形成有凹槽结构；若干个微柱结构，形成于所述衬底上并位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二延伸部围成一具有开口的空间区域，且相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；至少两个微流控端口，形成于所述衬底中，并与所述凹槽结构相连通；以及盖板，形成于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，并至少覆盖所述凹槽结构。本实用新型可以获得大表面积，使得流场均匀分布，延长气体流路路径，而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 阵列 富集 芯片 | ||
【主权项】：
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