[实用新型]基于硅纳米线阵列的微富集器芯片

权利要求书

1.基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，其特征在于，所述基于硅纳米线阵列的微富集器芯片包括：

衬底，且所述衬底中形成有凹槽结构；

若干个微柱结构，形成于所述衬底上并位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二延伸部围成一具有开口的空间区域，且相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；

至少两个微流控端口，形成于所述衬底中，并与所述凹槽结构相连通；盖板，形成于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，并至少覆盖所述凹槽结构；以及

硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列至少位于所述微柱结构的表面。

2.根据权利要求1所述的基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，其特征在于，所述基于硅纳米线阵列的微富集器芯片还包括加热电阻及测温电阻，其中，所述加热电阻及所述测温电阻位于所述盖板远离所述衬底的一侧以及所述衬底远离所述盖板的一侧中的至少一者上。

3.根据权利要求1所述的基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，其特征在于，所述凹槽结构的形状包括椭圆形，及，中间呈方形且两端呈弧形的结构中的任意一种；所述微柱结构的形状包括U型、V型中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，其特征在于，所述微柱结构的形状包括U型，所述U型的开口构成所述空间区域的所述开口，且相邻所述微柱结构的所述开口相对设置，并通过相邻的所述微柱结构的所述第一延伸部与所述第二延伸部的穿插设置实现所述微柱结构的所述嵌套设置。

5.根据权利要求4所述的基于硅纳米线阵列的微富集器芯片，其特征在于，所述第一延伸部及所述第二延伸部构成U型的所述微柱结构的两侧部，所述连接部构成U型的所述微柱结构的底部，其中，所述侧部的形状包括长方形，所述底部的形状包括半圆弧形，其中，所述半圆弧形的外径介于35μm-560μm之间，所述半圆弧形的内径介于25μm-400μm之间；所述长方形的宽介于5μm-80μm之间，所述长方形的长介于80μm-480μm之间；相邻所述微柱结构之间的间距介于5μm-80μm之间。