[实用新型]一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线

摘要

一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线，该天线包括辐射层、功分层和馈电层；辐射层由SIW正方形谐振腔、第一金属贴片和第一矩形介质板组成；功分层由功分器、第二金属贴片和第二矩形介质板组成；馈电层由SIW结构、第三金属贴片、第三矩形介质板和第四金属贴片组成；SIW正方形谐振腔设有第一金属通孔，上表面蚀刻矩形缝隙，中心贯穿有通孔；功分器由第二金属通孔和探针组成，中心位置蚀刻功分层矩形耦合缝隙，周围有圆形耦合缝隙，探针贯穿每个圆形耦合缝隙；SIW结构蚀刻有馈电层矩形耦合缝隙和馈电层金属通孔；本实用新型的馈电网络传输特性良好，工作频带内的增益强、带宽宽，具有馈电结构简单、低剖面和结构紧凑的优点。

主权项

1.一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线，其结构自上而下包括辐射层(1)、功分层(2)和馈电层(3)，所述辐射层(1)由四个顺序旋转排布的SIW正方形谐振腔(11)、第一金属贴片(12)和第一矩形介质板(13)组成；所述功分层(2)由功分器(21)、第二金属贴片(22)和第二矩形介质板(23)组成；所述馈电层(3)由矩形SIW结构(31)、第三金属贴片(32)、第三矩形介质板(33)和第四金属贴片(34)组成；所述第一金属贴片(12)、第二金属贴片(22)分别覆在第一矩形介质板(13)和第二矩形介质板(23)的上表面；所述第三金属贴片(32)、第四金属贴片(34)分别覆在第三矩形介质板(33)的上表面和下表面，其特征在于：/n所述SIW正方形谐振腔(11)位于第一金属贴片(12)的上表面，该SIW正方形谐振腔(11)的边缘处，设有K个第一金属通孔(14)，其中，K≥4，其上表面蚀刻有M×N个矩形缝隙(15)，其中，M和N≥1，且都为奇数；所述SIW正方形谐振腔(11)上表面的中心贯穿有通孔(16)，且垂直于矩形缝隙(15)和第一矩形介质板(13)，矩形缝隙(15)的辐射使腔体获得电磁能量；/n所述功分器(21)由第二金属通孔(24)和探针(28)组成，该功分器(21)呈“H”形，且位于第二金属贴片(22)的上表面；所述第二金属通孔(24)贯穿于第二矩形介质板(23)；所述功分器(21)的中心位置蚀刻功分层矩形耦合缝隙(25)，且关于功分层矩形耦合缝隙(25)中心对称分布；该功分器(21)的两条竖臂的两端各贯穿有一个圆形耦合缝隙(26)，横臂的两端各贯穿有一个圆形阻抗匹配缝隙(27)；所述探针(28)贯穿于每个圆形耦合缝隙(26)，且与SIW正方形谐振腔(11)中的矩形缝隙(15)相接触，激励出矩形缝隙(15)的本征模式，从而达到馈电的效果；/n所述矩形SIW结构(31)由第三金属通孔(35)、馈电层矩形耦合缝隙(36)和馈电层金属通孔(37)组成；该矩形SIW结构(31)位于第三金属贴片(32)上表面，蚀刻有馈电层矩形耦合缝隙(36)；所述第三金属通孔(35)贯穿于第三矩形介质板(33)，且呈倒“U”形结构；所述馈电层金属通孔(37)位于倒“U”形结构的上端，用以实现阻抗匹配；所述馈电层矩形耦合缝隙(36)用来耦合功分层(2)中的功分层矩形耦合缝隙(25)。/n