[实用新型]一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线有效
| 申请号: | 201920943922.4 | 申请日: | 2019-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN209843960U | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
| 发明(设计)人: | 洪涛;杨博光;赵哲民;刘英;姜文;龚书喜 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01Q13/18 | 分类号: | H01Q13/18;H01Q1/50;H01Q1/38 |
| 代理公司: | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 杨春岗;陈宏社 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属贴片 馈电层 蚀刻 矩形介质板 金属通孔 分层 矩形耦合缝隙 正方形谐振腔 耦合缝隙 辐射层 功分器 探针 基片集成波导 本实用新型 毫米波天线 传输特性 工作频带 矩形缝隙 馈电结构 馈电网络 低剖面 上表面 圆极化 贯穿 背腔 通孔 天线 带宽 | ||
一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线,该天线包括辐射层、功分层和馈电层;辐射层由SIW正方形谐振腔、第一金属贴片和第一矩形介质板组成;功分层由功分器、第二金属贴片和第二矩形介质板组成;馈电层由SIW结构、第三金属贴片、第三矩形介质板和第四金属贴片组成;SIW正方形谐振腔设有第一金属通孔,上表面蚀刻矩形缝隙,中心贯穿有通孔;功分器由第二金属通孔和探针组成,中心位置蚀刻功分层矩形耦合缝隙,周围有圆形耦合缝隙,探针贯穿每个圆形耦合缝隙;SIW结构蚀刻有馈电层矩形耦合缝隙和馈电层金属通孔;本实用新型的馈电网络传输特性良好,工作频带内的增益强、带宽宽,具有馈电结构简单、低剖面和结构紧凑的优点。
技术领域
本实用新型属于天线技术领域,具体涉及背腔缝隙天线领域的一种基片集成波导SIW(Substrate Integrated Waveguide)的背腔缝隙圆极化毫米波天线,可用于毫米波无线通信系统。
背景技术
随着移动互联网和物联网的快速发展,传统的移动通信系统已经越来越无法满足人们的需求,5G移动通信系统的研发被提上的日程。5G的提出促进了许多新技术的诞生,其中毫米波技术是众多5G技术中最有效和最富创新的技术。传统小于3GHz的移动通信频率日趋拥挤不堪,而毫米波频段的资源却远远还没有被开发。同时用于毫米波频段的设备具有重量轻和体积小的优点,推动着毫米波系统向着小型化和模块化的方向发展。
传统的移动通信天线多为平面印刷天线,但随着频率的不断升高,传统的微带等平面传输线易产生干扰谐波,其产生的能量损耗和激励出的表面波严重的降低了天线的辐射效率,所以达不到毫米波的通信需求。基片集成波导和金属波导具有相类似的低损耗特性,同时还具有低剖面的优势,所以基片集成波导结构被大量运用在毫米波天线的设计中。
在传统的通信中,“多径效应”是无法回避且客观存在的问题,其会导致严重的信号衰减。同时毫米波的波长短,绕射能力非常弱,多径分量尤其多,所以相对而言“多径效应”的影响更为显著。因此,圆极化天线能够有效的减小“多径效应”造成的衰弱,且圆极化天线不会存在极化失配的问题,所以对圆极化毫米波天线研究是存在必要性的。
例如,电子科技大学在其申请的专利中“宽带圆极化平板阵列天线”(申请号:201510268062.5,专利授权号:CN104953256B)提出了名称为宽带圆极化平板阵列天线。该天线采用了一种相位延迟线对十字缝隙进行馈电的结构,激励其四个寄生贴片,形成了圆极化辐射。该天线具有低成本和较宽的轴比带宽的优点,但是由于其利用微带线结构进行馈电,造成了比较大的能量损耗,从而导致辐射效率和增益的降低,限制了天线的应用。
例如,华南理工大学在其申请的专利中“一种高增益毫米波圆极化阵列天线”(申请号:201710950522.1,专利公布号:CN107749520A)提出了名称为一种高增益毫米波圆极化阵列天线。该阵列天线由辐射体阵列、馈电网络和馈电金属金属探针构成,辐射单元包括主辐射环、寄生辐射环和匹配圆环组成,最终实现了圆极化辐射。该天线一种基片集成波导结构,具有较低的损耗和较高的辐射效率和增益,但是该圆极化天线的轴比带宽较窄,不适用于宽带的毫米波应用场景。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提出一种基于SIW技术的背腔缝隙圆极化毫米波天线,用于解决现有毫米波圆极化天线轴比带宽窄、天线增益和效率低的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种基片集成波导SIW的背腔缝隙圆极化毫米波天线,其结构自上而下包括辐射层、功分层和馈电层,所述辐射层由四个顺序旋转排布的SIW正方形谐振腔、第一金属贴片和第一矩形介质板组成;所述功分层由功分器、第二金属贴片和第二矩形介质板组成;所述馈电层由矩形SIW结构、第三金属贴片、第三矩形介质板和第四金属贴片组成;所述第一金属贴片、第二金属贴片分别覆在第一矩形介质板和第二矩形介质板的上表面;所述第三金属贴片、第四金属贴片分别覆在第三矩形介质板的上表面和下表面;
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