[实用新型]高复合效率的VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201920912138.7 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209881094U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李欧 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及激光芯片技术领域，尤其涉及高复合效率的VCSEL芯片，VCSEL芯片包括衬底、外延层和N‑contact，外延层包括N‑DBR、量子阱、氧化层和P‑DBR，P‑DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N‑DBR表面形成台面，量子阱包括多对量子阱复合层，量子阱复合层包括重叠生长的Al | ||
| 搜索关键词： | 量子阱 中心区域 势垒 本实用新型 边缘区域 中间区域 复合层 外延层 氧化层 生长 蚀刻 表面形成 复合效率 激光芯片 晶格匹配 受激辐射 出光孔 高复合 高效率 台面 衬底 禁带 势阱 蒸镀 束缚 概率 激发 | ||
【主权项】：
1.高复合效率的VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片包括衬底，以及分别生长在所述衬底相对两侧的外延层和N-contact，所述外延层包括在所述衬底表面从下至上依次生长的N-DBR、量子阱、氧化层和P-DBR，所述P-DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N-DBR表面形成台面，所述量子阱包括重叠生长的多对量子阱复合层，所述量子阱复合层包括重叠生长的Al
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