[实用新型]一种高效VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201920908730.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209881091U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭啟强 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。本实用新型制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力，从而提高了饱和电流值，使得功率效率和斜率效率均得以提高，且电流集中注入时能够得到均匀分布，减少横模的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触层 散热层 外延片 本实用新型 欧姆接触孔 散热孔 蚀刻 饱和电流 电流集中 功率效率 激光芯片 散热能力 斜率效率 倒T字形 生长 量子阱 氧化层 多层 横模 填充 成型 背离 芯片 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高效VCSEL芯片，其特征在于，包括散热层、外延片，所述散热层包括重叠生长的多层Cu层，所述散热层的底层成型有若干散热孔，所述外延片包括依次重叠生长的N-DBR、量子阱、氧化层、P-DBR和第一欧姆接触层，所述外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N-contact；/n所述第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，所述第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，所述欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，所述第二欧姆接触层与散热层连接。/n
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