[实用新型]一种高效VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201920908730.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209881091U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭啟强 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆接触层 散热层 外延片 本实用新型 欧姆接触孔 散热孔 蚀刻 饱和电流 电流集中 功率效率 激光芯片 散热能力 斜率效率 倒T字形 生长 量子阱 氧化层 多层 横模 填充 成型 背离 芯片 覆盖 制造 | ||
1.一种高效VCSEL芯片，其特征在于，包括散热层、外延片，所述散热层包括重叠生长的多层Cu层，所述散热层的底层成型有若干散热孔，所述外延片包括依次重叠生长的N-DBR、量子阱、氧化层、P-DBR和第一欧姆接触层，所述外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N-contact；
所述第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，所述第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，所述欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，所述第二欧姆接触层与散热层连接。
2.根据权利要求1所述的一种高效VCSEL芯片，其特征在于，所述散热层包括重叠生长的厚度为4000埃的薄Cu层、厚度为70um的厚Cu层和多孔Cu层，所述多孔Cu层分布有若干散热孔。
3.根据权利要求2所述的一种高效VCSEL芯片，其特征在于，所述散热孔为圆形、方形、三角形中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高效VCSEL芯片，其特征在于，所述N-DBR、量子阱、氧化层的侧面被蚀刻至P-DBR形成台柱，所述第二SiNx层蒸镀形成在台柱的侧面和顶面以及P-DBR的上表面，所述第二SiNx层在N-DBR顶面形成出光孔，所述ITO层的截面呈T字形且填充出光孔并覆盖在第二SiNx层上，所述第二SiNx层和ITO层上均蒸镀有金属材料作为N-contact，所述N-contact在ITO层顶面于出光孔对应的位置形成有孔。
5.根据权利要求1所述的一种高效VCSEL芯片，其特征在于，所述N-DBR包括30对层叠生长的反射单元，所述P-DBR包括40对层叠生长的反射单元，所述反射单元为AlGaAs层。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种高效VCSEL芯片，其特征在于，所述氧化层包括未氧化段和包围所述未氧化段的氧化段，所述未氧化段由Al0.98GaAs生长形成。
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