[实用新型]一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器

摘要

本实用新型公开了一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，包括N型自支撑GaN衬底、同质外延N型GaN缓冲层、同质外延非故意掺杂GaN吸收层、欧姆接触电极层、半透明肖特基电极、介质钝化层和接触电极。本实用新型的优点在于采用同质外延结构有效降低外延结构的位错密度，从而减少了器件的在高压情况下的缺陷击穿，同时器件采用共平面的电极结构设计，电场方向与位错方向垂直，减少器件的漏电流进一步提高器件的信噪比，有利于微弱紫外目标信号的检测。