[实用新型]一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器有效
| 申请号： | 201920907835.3 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN210167365U | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨国锋;周东;渠凯军 | 申请（专利权）人： | 南京紫科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/108 |
| 代理公司： | 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146 | 代理人： | 陈少丽 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 同质 外延 gan 肖特基势垒型 紫外 雪崩 探测器 | ||
1.一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：包括
N型自支撑GaN衬底(101)；
在所述N型自支撑GaN衬底(101)正面的同质外延N型GaN缓冲层(102)；
在所述同质外延N型GaN缓冲层(102)正面的同质外延非故意掺杂GaN吸收层(103)；
在所述同质外延非故意掺杂GaN吸收层(103)上制作的欧姆接触电极层(104)；
在所述同质外延非故意掺杂GaN吸收层(103)上制作的半透明肖特基电极(105)；
在所述半透明肖特基电极(105)正面淀积的介质钝化层(106)，所述介质钝化层(106)上刻蚀有能显露半透明肖特基电极(105)的引线孔；
在所述引线孔的位置制作的接触电极(107)，所述接触电极(107)延伸至引线孔内而与半透明肖特基电极(105)连接。
2.根据权利要求1所述的一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：所述欧姆接触电极层(104)形状为环形。
3.根据权利要求1所述的一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(105)形状为圆形。
4.根据权利要求1所述的一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(105)选用Ni/Au电极、Pt/Au电极或者石墨烯电极。
5.根据权利要求1所述的一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：所述介质钝化层(106)为SiO2或Al2O3层。
6.根据权利要求1所述的一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，其特征在于：所述N型自支撑GaN衬底(101)的厚度为350μm，其载流子浓度为2×1018cm-3，所述同质外延N型GaN缓冲层(102)的厚度为1μm，其载流子浓度为5×1018cm-3，所述同质外延非故意掺杂GaN吸收层(103)的厚度为3μm，所述欧姆接触电极层(104)的厚度为2μm，所述半透明肖特基电极(105)的厚度为3nm-5nm，所述介质钝化层(106)的厚度为200nm，所述接触电极(107)的厚度为2μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
