[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920896408.X | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN210129516U | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 段月欣 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种半导体器件，包括外延层，具有相对的第一表面和第二表面；基区，由第一表面向外延层内部延伸成型；发射区，由第一表面向基区内部延伸成型；盲孔，形成在外延层内且由第二表面向外延层内部凹陷成型；集电区，围绕盲孔设置在外延层的与盲孔侧壁和底面对应的区域；第二集电极，设置于盲孔的朝向自身中空部的表面；第一集电极，设置于第二表面，第二集电极与第一集电极电连接。本实用新型实施例提供的半导体器件能够减短关断时间，降低导通压降，提高电导调制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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