[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920896408.X | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN210129516U | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 段月欣 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
外延层(20)，具有相对的第一表面和第二表面；
基区(206)，由所述第一表面向所述外延层(20)内部延伸成型；
发射区(207)，由所述第一表面向所述基区(206)内部延伸成型；
盲孔(200)，形成在所述外延层(20)内，所述盲孔(200)由所述第二表面向所述外延层(20)内部凹陷成型；
集电区(203)，围绕所述盲孔(200)设置在所述外延层(20)的与所述盲孔(200)侧壁和底面对应的区域；
第二集电极(204)，设置于所述盲孔(200)的朝向自身中空部的表面；
第一集电极(202)，设置于所述第二表面，所述第二集电极(204)与所述第一集电极(202)电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述盲孔(200)为多个，多个所述盲孔(200)之间间隔分布且对应所述盲孔(200)的所述集电区(203)之间互不重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，多个所述盲孔(200)构成一个或多个盲孔组，每个所述盲孔组中的多个所述盲孔(200)之间紧密相邻。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述盲孔组中多个所述盲孔(200)的深度自中间向周侧依次对称递减。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述盲孔组中多个所述盲孔(200)的深度从一侧向其他侧依次递减。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述盲孔组之间的间距至少大于所述盲孔组中相邻所述盲孔(200)之间的最大间距。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电极(202)与所述第二集电极(204)之间通过电连接结构(201)形成电连接，所述电连接结构(201)的一部分填充至所述盲孔(200)内且另一部分铺设于所述第一集电极(202)上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一集电极(202)与第二表面形成欧姆接触或者肖特基接触，所述第二集电极(204)与所述盲孔(200)的所述侧壁和所述底面形成欧姆接触。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
发射极(210)，在所述第一表面相接于所述基区(206)和所述发射区(207)；
栅极氧化层(208)和栅电极(209)，至少部分依次层叠设置于所述第一表面。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层(20)为第一导电类型，所述基区(206)为导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述发射区(207)为所述第一导电类型，所述集电区(203)为所述第二导电类型。
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