[实用新型]一种太阳能电池减反射膜结构有效
| 申请号： | 201920819048.3 | 申请日： | 2019-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN209880624U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 苗凤秀;连维飞;李怡洁;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32232 苏州华博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种太阳能电池减反射膜结构，涉及太阳能电池技术领域。该减反射膜结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。本实用新型采用由氮化硅层和碳氧化硅层构成的双层减反射介质膜，通过优化膜层厚度，可以降低太阳能电池对波长500nm以下入射光的反射以及提升在800nm以上长波段的光谱响应，从而提高了电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 膜层 太阳能电池 第一膜层 本实用新型 碳氧化硅层 氮化硅层 减反射膜 太阳能电池技术 减反射介质膜 电池效率 光谱响应 长波段 入射光 波长 硅基 反射 优化 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池减反射膜结构，其特征在于，包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层为氮化硅层，所述第二膜层为碳氧化硅层，所述第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，所述第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州腾晖光伏技术有限公司，未经苏州腾晖光伏技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920819048.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双沟道的TFT结构
- 下一篇：一种MWT太阳能电池片的正面电极
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
