[实用新型]一种太阳能电池减反射膜结构

说明书

本实用新型提供一种太阳能电池减反射膜结构，涉及太阳能电池技术领域。该减反射膜结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。本实用新型采用由氮化硅层和碳氧化硅层构成的双层减反射介质膜，通过优化膜层厚度，可以降低太阳能电池对波长500nm以下入射光的反射以及提升在800nm以上长波段的光谱响应，从而提高了电池效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池减反射膜结构。

背景技术

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极和背面电池)太阳能电池作为目前光伏市场最主流的产品，由于其背面氧化铝提供优异的钝化效果使得电池具有高效率、高功率，从而在市场上具备强的竞争力。这种太阳能电池正面采用选择性发射极结构可以提升电池在短波段的光谱响应，同时通过高方阻扩散降低非掺杂区域的复合，提升电池钝化性效果，并提升开压。

为进一步提升PERC电池的光谱响应，可以在太阳能电池正面采用减反射膜。目前产业化的太阳能电池正面减反射膜主要以氮化硅(SiNx)膜为主，SiNx膜可以设置多层结构以降低对入射光的反射，目前最优的SiNx膜层结构反射率可以低至3～5％。

然而，通过优化SiNx膜的多层结构难以进一步降低太阳能电池表面的反射率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种太阳能电池减反射膜结构，以解决难以进一步降低太阳能电池表面的反射率的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型提供了一种太阳能电池减反射膜结构，该结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。

可选地，第一膜层和第二膜层通过等离子体增强化学气相沉积来制备。

可选地，第一膜层通过使用SiH₄和NH₃的混合气体作为反应气体来制备。

可选地，第二膜层通过使用SiH₄、CH₄和N₂O的混合气体作为反应气体来制备。

可选地，第一膜层的折射率在2.1至2.3的范围内。

可选地，第二膜层的折射率在1.7至1.9的范围内。

可选地，在第二膜层上还形成有第三膜层，第三膜层为多孔二氧化硅层。

可选地，第三膜层通过采用溶胶-凝胶法来制备。

可选地，第三膜层的厚度在5nm至20nm的范围内。

可选地，第三膜层的折射率在1.1至1.38的范围内。

本实用新型的有益效果包括：

本实用新型提供的太阳能电池减反射膜结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。本实用新型采用由氮化硅层和碳氧化硅层构成的双层减反射介质膜，通过优化膜层厚度，可以降低太阳能电池对波长500nm以下入射光的反射以及提升在800nm以上长波段的光谱响应，从而提高了电池效率。

附图说明