[实用新型]钝化装置以及外延设备有效
| 申请号： | 201920775913.9 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN209947805U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林宗贤;吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种钝化装置和外延设备，所述装置包括：钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质，以使离子化后的杂质与所述钝化气体发生钝化反应。本实用新型提供的钝化装置可以抑制自掺杂效应。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 钝化气体 本实用新型 钝化装置 离子化 离子束 反应腔内壁 离子束发射 钝化反应 输送通道 外延设备 自掺杂 连通 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种钝化装置，其特征在于，所述钝化装置包括：/n钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；/n离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质，以使离子化后的杂质与所述钝化气体发生钝化反应。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
