[实用新型]钝化装置以及外延设备

说明书

本实用新型提供了一种钝化装置和外延设备，所述装置包括：钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质，以使离子化后的杂质与所述钝化气体发生钝化反应。本实用新型提供的钝化装置可以抑制自掺杂效应。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种钝化装置以及外延设备。

背景技术

制造半导体器件的过程中，当在外延设备的反应腔内执行外延生长工艺，以在半导体衬底上生长出外延层时，通常会向反应腔内输送杂质，该杂质会掺入外延层中，使其具备电阻率，形成掺杂外延层，以满足半导体器件的要求。

但是，相关技术中，在形成掺杂外延层的过程中，输送至所述反应腔中的杂质难免会附着在所述反应腔的内壁。并且，由于所述杂质的化学性质较为活泼，极易挥发，则当后续再次执行外延生长工艺时，位于所述反应腔内壁的杂质离子易挥发至外延层中，引起自掺杂现象，会影响所述外延层电阻率的均匀性，并会影响到最终形成的半导体器件的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种钝化装置和外延设备，以抑制自掺杂效应。

为抑制自掺杂效应，本实用新型提供一种钝化装置，所述钝化装置包括：

钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；

离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质，以使离子化后的杂质与所述钝化气体发生钝化反应。

可选的，所述杂质中的元素包括硼、磷和砷中的其中一种或多种。

可选的，当所述杂质中的元素包括有硼时，所述钝化气体包括氮气；

当所述杂质中的元素包括有磷时，所述钝化气体包括氯气；

当所述杂质中的元素包括有砷时，所述钝化气体包括氟气。

可选的，所述反应腔的外壁上设置有密封适配器，所述密封适配器用于密封所述反应腔；

其中，所述钝化气体输送通道穿过所述密封适配器与所述反应腔体连通；以及，所述离子束发射组件贯穿所述密封适配器，并延伸至所述反应腔内部。

可选的，所述离子束发射组件包括第一子管道、第二子管道以及等离子室；

所述第一子管道与所述第二子管道相互连通，且所述第一子管道位于所述反应腔外部，所述第二子管道位于所述反应腔内部，所述等离子室位于所述第二子管道远离所述第一子管道的一端；

所述第一子管道和所述第二子管道用于向所述等离子室输送离子源气体。

可选的，所述第二子管道为伸缩管道，用于带动所述等离子室在所述反应腔内往复运动。

可选的，所述第一子管道还与一真空泵连接，所述真空泵用于通过所述第一子管道和所述第二子管道向所述等离子室抽真空。

此外，本实用新型还提供了一种外延设备，包括如上所述的钝化装置。

可选的，所述外延设备还包括：

反应腔；

设置于所述反应腔内部的托盘，用于承载半导体衬底；

延伸至所述反应腔内部的外延反应物输送通道，用于向托盘上的半导体衬底提供外延反应物，以在所述半导体衬底上生长出外延层。

可选的，所述外延设备还包括干泵，所述干泵通过一气体管道与所述反应腔连接。