[实用新型]一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构有效
| 申请号： | 201920749003.3 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN209822674U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，用于蓝光LED，其包括依次设置于基底上的第一半导体层，有源区和第二半导体层；所述有源区包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层；所述阱层包括第一N‑GaN层，设于所述第一N‑GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N‑GaN层；所述电流均化层通过在GaN中掺杂高电阻率材料形成。本实用新型通过在有源区设置N‑GaN+电流均化层+N‑GaN的阱层结构，使得LED外延结构在小电流情况下，有效提升电流的拥堵效应，使得小电流能够在阱层之中横向扩展，强化了扩散效应，从而达到了功率小、光效高的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 均化 阱层 源区 本实用新型 半导体层 小电流 高电阻率材料 发光效能 横向扩展 间隔设置 扩散效应 外延结构 依次设置 蓝光LED 光效 基底 垒层 拥堵 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，用于蓝光LED，其包括依次设置于基底上的第一半导体层，有源区和第二半导体层；其特征在于，所述有源区包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层；/n所述阱层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N-GaN层；/n所述电流均化层通过在GaN中掺杂电阻率＞2.4×10
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920749003.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
