[实用新型]一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构

权利要求书

1.一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，用于蓝光LED，其包括依次设置于基底上的第一半导体层，有源区和第二半导体层；其特征在于，所述有源区包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层；

所述阱层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N-GaN层；

所述电流均化层通过在GaN中掺杂电阻率＞2.4×10^-6Ω·cm的高电阻率材料形成。

2.如权利要求1所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述高电阻率材料选自Al、B、Mg、氮化硅中的一种或多种；

所述电流均化层的电阻率＞10⁹Ω·cm。

3.如权利要求1所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述阱层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层，设于所述电流均化层上的U-GaN层和设于所述U-GaN层上的第二N-GaN层。

4.如权利要求3所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述阱层包括第一N-GaN层、第二N-GaN层，以及设于所述第一N-GaN层与第二N-GaN层之间的相互间隔设置的至少一层U-GaN层与至少一层电流均化层。

5.如权利要求3所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述电流均化层中高电阻率材料的含量由所述第一N-GaN层到所述第二N-GaN层之间呈递减变化；

所述递减变化为连续变化、梯度变化或混合梯度变化。

6.如权利要求3所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，各垒层中高电阻率材料的含量从所述第一半导体层到所述第二半导体层之间呈递减变化；

所述递减变化为连续变化、梯度变化或混合梯度变化。

7.如权利要求3-6任一项所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述电流均化层为AlGaN层，其中Al的含量≤5wt％。

8.如权利要求7所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述N-GaN层的电阻率≤3Ω·cm；

所述U-GaN层的电阻率为10000-50000Ω·cm。

9.如权利要求3所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述第一N-GaN层与第二N-GaN的厚度为所述U-GaN层的厚度为所述电流均化层的厚度为

10.如权利要求4所述的可在小电流密度下提升发光效能的外延结构，其特征在于，所述第一N-GaN层与第二N-GaN的厚度为所述U-GaN层的厚度为所述电流均化层的厚度为

所述第一N-GaN层与第二N-GaN层之间的相互间隔设置的2-9层U-GaN层与3-8层电流均化层。