[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201920747346.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN209822673U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王兵;王硕;张状;邓梓阳;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压LED芯片，其包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于第二半导体层的第一电极和设于第一半导体层的第二电极；第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于第三半导体层的第三电极和设于第四半导体层的第四电极；第三电极和第四电极通过设于切割道的金属薄膜导电连接。本实用新型中通过特殊的结构设计，有效缩减了该种类LED芯片的光刻作业次数，制造成本下降了20‑40％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光结构 本实用新型 第三电极 切割道 电极 源层 高压LED芯片 导电连接 第二电极 第一电极 金属薄膜 制造成本 钝化层 光刻 切割 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；/n所述第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于所述第二半导体层的第一电极和设于所述第一半导体层的第二电极；/n所述第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于所述第三半导体层的第三电极和设于所述第四半导体层的第四电极；/n所述第三电极和第四电极通过设于所述切割道的金属薄膜导电连接。/n
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