[实用新型]一种高压LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高压LED芯片，其包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于第二半导体层的第一电极和设于第一半导体层的第二电极；第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于第三半导体层的第三电极和设于第四半导体层的第四电极；第三电极和第四电极通过设于切割道的金属薄膜导电连接。本实用新型中通过特殊的结构设计，有效缩减了该种类LED芯片的光刻作业次数，制造成本下降了20‑40％。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高压LED芯片。

背景技术

高压LED芯片是在LED芯片制备段将多个芯片串联发光，减少下游封装厂焊线次数，提高生产效率并节约成本，同时，高压LED芯片可大幅降低对散热系统的设计要求，克服LED照明市场的散热技术障碍。

目前国内主流的高压LED芯片生产厂家采用的生产工艺为6道光刻，分别为Mesa光刻、深刻蚀光刻、电流阻挡层光刻、透明导电层光刻、电极光刻、钝化层光刻，金属跨越相邻芯片的桥接处使用电流阻挡层作为隔绝相邻芯片的绝缘层，因此电流阻挡层光刻必须在Mesa光刻和透明导电层光刻之间，即这两步光刻必须分步进行，所以为了留有余度，必须牺牲一定的发光面积，从而损失芯片亮度并增加芯片的使用电压和热量，一定程度降低其使用寿命。

为了简化高压LED芯片的生产工艺，中国专利申请CN108807607A提出了新的生产方法，其采用电流阻挡层光刻、透明导电层光刻、Mesa刻蚀、深刻蚀光刻、钝化层光刻和电极光刻等五道光刻生产了高压LED芯片，节省了生产成本。但是，这种工艺流程仍然较长，生产复杂，生产成本高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高压LED芯片，其制作成本低。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高压LED芯片，其包括基片，设于基片上的第一发光结构与第二发光结构，位于所述第一发光结构与第二发光结构之间的切割道；以及设于所述第一发光结构、第二发光结构和切割道上的钝化层；

所述第一发光结构包括第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、设于所述第二半导体层的第一电极和设于所述第一半导体层的第二电极；

所述第二发光结构包括第三半导体层、第二有源层、第四半导体层、设于所述第三半导体层的第三电极和设于所述第四半导体层的第四电极；

所述第三电极和第四电极通过设于所述切割道的金属薄膜导电连接。

作为上述技术方案的改进，所述切割道的侧壁具有倾斜角度。

作为上述技术方案的改进，所述倾斜角度≤60度。

作为上述技术方案的改进，所述切割道的宽度为10-20μm。

作为上述技术方案的改进，所述切割道的宽度为13-18μm。

作为上述技术方案的改进，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极依次包括第一Cr层，Al层、第二Cr层、第一Ti层、第一Au层、第三Cr层、第二Ti层和第二Au层。

作为上述技术方案的改进，所述第二半导体层与透明导电层之间，第四半导体层与透明导电层之间还设有透明导电层。

作为上述技术方案的改进，所述第一半导体层与基片之间，第二半导体层与基片之间还设有锯齿状外延缓冲层。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

1.本实用新型仅具有一层钝化层，其可有效缩短制造周期，节省成本。