[实用新型]一种气相生长ZnTe单晶体的装置有效
| 申请号： | 201920733278.8 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN210262080U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郑律;马可军;俞振中;门楠 | 申请（专利权）人： | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B23/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10 |
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| 搜索关键词： | 一种 相生 znte 单晶体 装置 | ||
【主权项】：
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