[实用新型]一种气相生长ZnTe单晶体的装置

权利要求书

1.一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，包括：

加热炉，依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；

石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动，所述石英管具有内腔，一端密闭一端开放；

组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成；

所述主舟为一端密闭，另一端有磨砂开口的石英舟，封闭一端放置料舟，开放一端用于连接长晶套管；

所述料舟为开放式石英舟，置于主舟内部密闭一端，用于盛放ZnTe的多晶颗粒；

所述长晶套管为具有磨砂口和一根石英棒的组合石英件，其磨砂口可与主舟磨砂口连接密封，磨砂口与石英棒相接处呈尖端状；

法兰，所述法兰可安装于石英管开放端，法兰上开有一抽气孔和一密闭的活塞口，长晶套管的石英棒穿过活塞口且可在保持密闭的条件下轴向移动。

2.根据权利要求1所述的一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，所述的加热炉由驱动装置驱动从而实现相对石英管的移动，所述恒温区及线性降温区沿炉腔轴向依次排列。

3.根据权利要求1所述的一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，还包括设于所述料舟底部和长晶套管尖端的测温电偶。

4.根据权利要求1所述的一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，还包括：

控制器，控制器和测温电偶以及驱动装置电连，用于获取所述测温电偶检测的内腔温度数据，并根据获取到的内腔温度数据向所述驱动装置发出调节速率或停止移动的控制信号，以控制加热炉相对石英管的移动。

5.根据权利要求1所述的一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，所述加热炉可以为水平设置或者竖直设置。

6.根据权利要求1所述的一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，所述石英管上设有与内腔相通的用于抽真空后向内充氩气的换气口。