[实用新型]一种氧化物半导体TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201920646028.0 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN209747514U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体TFT阵列基板，所述阵列基板包括基板和依次形成在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层、第二金属层、SINx绝缘层和SiOx绝缘层，所述第二金属层的顶部为钼金属层，所述SINx绝缘层位于第二金属层与SiOx绝缘层之间，且SINx绝缘层与第二金属层的图案完全重叠，所述第二金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的位置对应的氧化物半导体有源层为沟道区域。在本方案中能够避免第二金属层上的钼金属层与SiOx绝缘层之间形成氧化钼导致SiOx绝缘层的附着性降低，从而解决PV膜浮的发生的问题，进而保证产品的显示效果以及良率，保障产品的信赖性，提高产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 第二金属层 氧化物半导体有源层 钼金属层 基板 漏极 源极 氧化物半导体 本实用新型 产品竞争力 第一金属层 栅极绝缘层 保障产品 沟道区域 显示效果 阵列基板 附着性 信赖性 氧化钼 良率 图案 保证 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体TFT阵列基板，其特征在于，包括基板和依次形成在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层、第二金属层、SINx绝缘层和SiOx绝缘层，所述第二金属层的顶部为钼金属层，所述SINx绝缘层位于第二金属层与SiOx绝缘层之间，且SINx绝缘层与第二金属层的图案完全重叠，所述第二金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的位置对应的氧化物半导体有源层为沟道区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
