[实用新型]一种氧化物半导体TFT阵列基板

说明书

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体TFT阵列基板，所述阵列基板包括基板和依次形成在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层、第二金属层、SINx绝缘层和SiOx绝缘层，所述第二金属层的顶部为钼金属层，所述SINx绝缘层位于第二金属层与SiOx绝缘层之间，且SINx绝缘层与第二金属层的图案完全重叠，所述第二金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的位置对应的氧化物半导体有源层为沟道区域。在本方案中能够避免第二金属层上的钼金属层与SiOx绝缘层之间形成氧化钼导致SiOx绝缘层的附着性降低，从而解决PV膜浮的发生的问题，进而保证产品的显示效果以及良率，保障产品的信赖性，提高产品竞争力。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体TFT阵列基板。

背景技术

传统a-Si或IGZO TFT有两种常见结构：ESL(etch stop layer)和BCE(Backchannel etch)，其中ESL结构相对BCE结构多了一道ES制程，蚀刻阻挡层ES可防止半导体有源层沟道区域受到漏源级金属层SD刻蚀时的损伤，画素区域TFT电学特性均一性更收敛，但因制程能力限制，TFT channel length无法做小而导致显示屏画素PPI受限；而传统的BCE结构，其TFT器件channel length可以进一步缩小，且相对于ESL结构存在制程成本优势。

现有BCE结构氧化物半导体TFT，漏源级金属层SD的材质为纯钼Mo或者Mo/Al/Mo夹心层结构，其与第二绝缘层PV(SiOx)直接搭接，界面处钼Mo受制程影响易形成氧化钼，其上表面的PV_SiOx膜层附着性会变差；而且金属Mo与SiOx热膨胀系数相差较大，当经过后续热制程处理，由于两者热膨胀系数差异，导致PV膜浮发生(严重可导致PV膜层剥离-peeling)；而PV膜浮issue的存在，不仅影响产品信赖性，也直接影响到产品良率与显示效果。

因此，如何解决BCE结构氧化物半导体显示技术中Mo/SiOx界面膜浮issue显得尤为重要。

发明内容

为此，需要提供一种氧化物半导体TFT阵列基板，来解决现有阵列基板中SiOx绝缘层与第二金属层之间容易出现膜浮发生，甚至导致SiOx绝缘层剥离，使得产品良率以及显示效果下降，影响产品信赖性的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种氧化物半导体TFT阵列基板，包括基板和依次形成在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层、第二金属层、SINx绝缘层和SiOx绝缘层，所述第二金属层的顶部为钼金属层，所述SINx绝缘层位于第二金属层与SiOx绝缘层之间，且SINx绝缘层与第二金属层的图案完全重叠，所述第二金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的位置对应的氧化物半导体有源层为沟道区域。

作为本实用新型的一种优选结构，还包括平坦化层、触控走线、第一绝缘层、公共电极、第二绝缘层和像素电极，所述平坦化层、触控走线、第一绝缘层、公共电极、第二绝缘层和像素电极依次形成在SiOx绝缘层上，所述SINx绝缘层、SiOx绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的相应位置均开设有过孔，所述像素电极穿过所述过孔与漏极连通。

作为本实用新型的一种优选结构，所述公共电极与触控走线连接，用于传递触控信号。

作为本实用新型的一种优选结构，所述第二金属层为Mo/Al/Mo组成的夹心层结构。

作为本实用新型的一种优选结构，氧化物半导体有源层为IGZO有源层。