[实用新型]一种IGBT模块预埋填料式封装结构

摘要

本实用新型涉及一种IGBT模块预埋填料式封装结构，包括铜底座，在铜底座上部连接有环形的绝缘外壳，在铜底座与绝缘外壳的内壁之间设置有填充空腔；在铜底座上设置有镶嵌凹槽，在铜底座上固定有陶瓷基板，在陶瓷基板与镶嵌凹槽的底面之间设置有固定焊料填充空腔A；在陶瓷基板上通过焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片；填充空腔对应陶瓷基板上部的空腔内设置有绝缘块，绝缘块内预埋有导线槽阵列；在导线槽内填充有导电焊料；在绝缘块的上部放置有DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的铜层上焊接有接线板；绝缘外壳的开口处设置有铜质的封闭盖，封闭盖位于DBC陶瓷板的上部，封闭盖内设置有固定焊料填充空腔B。

主权项

1.一种IGBT模块预埋填料式封装结构，其特征是：包括铜底座，在铜底座上部连接有一个环形的绝缘外壳，在铜底座与绝缘外壳的内壁之间设置有一个填充空腔；在铜底座上设置有一个镶嵌凹槽，在所述铜底座上固定有一个陶瓷基板，在陶瓷基板与镶嵌凹槽的底面之间设置有固定焊料填充空腔A，填充空腔内A填充有焊料；在所述陶瓷基板上设置有一个固定凹槽，所述固定凹槽内填充有焊料，通过焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片，在固定凹槽内还填充有高温固定胶；所述填充空腔对应陶瓷基板上部的空腔内设置有一个绝缘块，绝缘块内预埋有导线槽阵列，所述导线槽阵列包括若干互相平行的导线槽，所述导线槽分为导线槽A和导线槽B，其中导线槽A的一端位于绝缘块底部对应IGBT芯片的接触位置，导线槽A的另一端位于绝缘块的顶部；所述导线槽B的一端位于绝缘块底部对应FWD芯片的接触位置，导线槽B的另一端位于绝缘块的顶部；在所述导线槽A和导线槽B内填充有导电焊料；在所述绝缘块的上部放置有一个DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的边缘与绝缘外壳内壁接触，DBC陶瓷板的铜层上焊接有接线板，在接线板内嵌有若干互相平行的接线片；所述绝缘外壳的开口处设置有一个铜质的封闭盖，封闭盖位于DBC陶瓷板的上部，封闭盖内设置有固定焊料填充空腔B, 固定焊料填充空腔B内填充有焊料；所述接线板上预连接有排线A，排线A穿过绝缘块和绝缘外壳延伸到外部；所述IGBT芯片上预连接有排线B，排线B穿过绝缘块和绝缘外壳延伸到外部；所述FWD芯片上预连接有排线C。/n