[实用新型]一种IGBT模块预埋填料式封装结构

说明书

本实用新型涉及一种IGBT模块预埋填料式封装结构，包括铜底座，在铜底座上部连接有环形的绝缘外壳，在铜底座与绝缘外壳的内壁之间设置有填充空腔；在铜底座上设置有镶嵌凹槽，在铜底座上固定有陶瓷基板，在陶瓷基板与镶嵌凹槽的底面之间设置有固定焊料填充空腔A；在陶瓷基板上通过焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片；填充空腔对应陶瓷基板上部的空腔内设置有绝缘块，绝缘块内预埋有导线槽阵列；在导线槽内填充有导电焊料；在绝缘块的上部放置有DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的铜层上焊接有接线板；绝缘外壳的开口处设置有铜质的封闭盖，封闭盖位于DBC陶瓷板的上部，封闭盖内设置有固定焊料填充空腔B。

技术领域

本实用新型涉及一种IGBT模块预埋填料式封装结构，属于IGBT封装领域。

背景技术

IGBT模块传统的封装形式是在铜基板上焊接DBC陶瓷板，随后到DBC陶瓷板的铜板上钎焊IGBT等芯片，焊接完成后再在表面通过超声波连接排线；最后通过外面的绝缘外壳实现产品封装，此种结构虽然简单，但是因为其结构原因，稳定性较低；位于模块内部的超声波焊接的排线很容易因为高温等原因发生脱离松动；其次，该结构的散热主要依赖铜底板，散热效能较差，多层的层叠结构也会使得顶部的排线无法获得有效的散热。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术中多层式的IGBT封装对排线的散热效果差，且排线的连接可靠性低的技术问题，提供一种IGBT模块预埋填料式封装结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种IGBT模块预埋填料式封装结构，包括铜底座，在铜底座上部连接有一个环形的绝缘外壳，在铜底座与绝缘外壳的内壁之间设置有一个填充空腔；在铜底座上设置有一个镶嵌凹槽，在所述铜底座上固定有一个陶瓷基板，在陶瓷基板与镶嵌凹槽的底面之间设置有固定焊料填充空腔A，固定焊料填充空腔A内填充有焊料；在所述陶瓷基板上设置有一个固定凹槽，所述固定凹槽内填充有焊料，通过焊料固定有IGBT芯片和FWD芯片，在固定凹槽内还填充有高温固定胶；所述填充空腔对应陶瓷基板上部的空腔内设置有一个绝缘块，绝缘块内预埋有导线槽阵列，所述导线槽阵列包括若干互相平行的导线槽，所述导线槽分为导线槽A和导线槽B，其中导线槽A的一端位于绝缘块底部对应IGBT芯片的接触位置，导线槽A的另一端位于绝缘块的顶部；所述导线槽B的一端位于绝缘块底部对应FWD芯片的接触位置，导线槽B的另一端位于绝缘块的顶部；在所述导线槽A和导线槽B内填充有导电焊料；在所述绝缘块的上部放置有一个DBC陶瓷板，DBC陶瓷板的边缘与绝缘外壳内壁接触，DBC陶瓷板的铜层上焊接有接线板，在接线板内嵌有若干互相平行的接线片；所述绝缘外壳的开口处设置有一个铜质的封闭盖，封闭盖位于DBC陶瓷板的上部，封闭盖内设置有固定焊料填充空腔B, 固定焊料填充空腔B内填充有焊料；所述接线板上预连接有排线A，排线A穿过绝缘块和绝缘外壳延伸到外部；所述IGBT芯片上预连接有排线B，排线B穿过绝缘块和绝缘外壳延伸到外部；所述FWD芯片上预连接有排线C。

作为本实用新型的进一步改进，所述铜底座上设置有至少一个注入孔A和至少一个排气孔A。

作为本实用新型的进一步改进，所述封闭盖上设置有至少一个注入孔B和至少一个排气孔B。

作为本实用新型的进一步改进，所述固定焊料填充空腔A内设置有一个毛细导热管A，所述毛细导热管A穿过铜底座延伸到固定焊料填充空腔A的外部。

作为本实用新型的进一步改进，所述固定焊料填充空腔固定焊料填充空腔B内设置有一个毛细导热管B，所述毛细导热管B穿过封闭盖延伸到固定焊料填充空腔B的外部。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘块内还分别贯穿设置有排气孔C阵列和排气孔D阵列，其中排气孔C阵列包括若干互相平行布置的排气孔C，所述排气孔C的一端位于导线槽A的底部，一端位于绝缘块的顶部；所述排气孔D阵列包括若干互相平行布置的排气孔D，所述排气孔D的一端位于导线槽B的底部，一端位于绝缘块的顶部。