[实用新型]一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽有效
| 申请号： | 201920548320.9 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN209561349U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张元秋 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 李春霖 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽，涉及晶硅太阳能电池生产设备技术领域，本实用新型包括刻蚀槽主体，所述刻蚀槽主体内设有刻蚀液，所述刻蚀槽主体内置有若干用于带动刻蚀液的滚轮，所述刻蚀液未完全淹没滚轮，所述滚轮上设有螺纹，所述螺纹的螺纹深度范围在0.2mm～2mm，所述螺纹的螺纹间距范围在0.2mm～3mm，本实用新型解决了亮边造成的背面外观异常，提升产品外观良率，同时又能降低酸耗。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀槽 螺纹 本实用新型 刻蚀液 滚轮 良率 酸耗 电池外观 晶硅太阳能电池 产品外观 生产设备 内置 背面 淹没 | ||
【主权项】：
1.一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽，其特征在于：包括刻蚀槽主体，所述刻蚀槽主体内设有刻蚀液(3)，所述刻蚀槽主体内置有若干用于带动刻蚀液(3)的滚轮(2)，所述刻蚀液(3)未完全淹没滚轮(2)，所述滚轮(2)上设有螺纹，所述螺纹的螺纹深度范围在0.2mm～2mm，所述螺纹的螺纹间距范围在0.2mm～3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
