[实用新型]一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽有效
申请号: | 201920548320.9 | 申请日: | 2019-04-22 |
公开(公告)号: | CN209561349U | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 张元秋 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 李春霖 |
地址: | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀槽 螺纹 本实用新型 刻蚀液 滚轮 良率 酸耗 电池外观 晶硅太阳能电池 产品外观 生产设备 内置 背面 淹没 | ||
本实用新型公开了一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽,涉及晶硅太阳能电池生产设备技术领域,本实用新型包括刻蚀槽主体,所述刻蚀槽主体内设有刻蚀液,所述刻蚀槽主体内置有若干用于带动刻蚀液的滚轮,所述刻蚀液未完全淹没滚轮,所述滚轮上设有螺纹,所述螺纹的螺纹深度范围在0.2mm~2mm,所述螺纹的螺纹间距范围在0.2mm~3mm,本实用新型解决了亮边造成的背面外观异常,提升产品外观良率,同时又能降低酸耗。
技术领域
本实用新型属于晶硅太阳能电池生产设备技术领域,具体涉及一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽。
背景技术
现常用的PERC电池制造工艺流程为:制绒-磷扩散-背面刻蚀-退火-Al2O3镀膜-背面SiNx镀膜-正面SiNx镀膜-背面激光开槽-丝网印刷-烧结,对此工艺稍做调整,包括略微降低背面刻蚀的腐蚀量、降低背面SiNx膜厚、改背面全铝背场铝浆印刷为激光开槽位置铝栅线印刷,便可将单面PERC电池升级为双面PERC电池。
与单面PERC电池相比,双面PERC电池背面可吸光发电,测试转换效率可达到14%~18%,搭配双面双波组件工艺制程的组件可吸收地面反射及空气等散射的光进行发电,根据安装环境的不同组件发电量可增加5%~30%。双面PERC电池在与单面PERC电池成本相当的情况下,可得到明显的发电量增益,展现了其良好的应用前景。
早期背面刻蚀采用的方式是“水上漂”刻蚀,需使用氢氟酸、硝酸、硫酸,由于其液位较高,淹没滚轮,过刻问题较为严重。以此为基础,目前较为常用的刻蚀方法为细螺纹滚轮带液刻蚀,其省去了对硫酸的使用,解决了硫酸排废的问题,同时改善了“水上漂”刻蚀中的过刻问题,但缺点在于其液位低,细螺纹滚轮转动时带起的酸液量较少,为在短时间内达到相同的腐蚀量,其酸液的浓度更大、温度更高,因此挥发和溢流的酸更多,导致酸耗更大,更为严重的缺点是,刻蚀过程中,硅片前段与液体接触较少,而尾端与液体接触较多,因此整面腐蚀量不均匀,硅片尾端会出现一条腐蚀较深的亮边,影响外观,对于背面全覆盖铝浆的单面PERC电池,其影响不明显,但对于双面PERC电池而言,亮边将造成明显外观不良,导致产品外观良率大大降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:为改善由刻蚀造成的外观不良问题,提升产品外观良率,同时降低酸耗,提供一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种提升双面PERC电池外观良率并降低酸耗的刻蚀槽,包括刻蚀槽主体,所述刻蚀槽主体内设有刻蚀液,所述刻蚀槽主体内置有若干用于带动刻蚀液的滚轮,所述刻蚀液未完全淹没滚轮,所述滚轮上设有螺纹,所述螺纹的螺纹深度范围在0.2mm~2mm,所述螺纹的螺纹间距范围在0.2mm~3mm。
作为优选,所述刻蚀液液位上方滚轮露出部分高度范围在0.1mm~3mm。
作为优选,所述相邻两滚轮的间距范围在10m~100mm。
作为优选,滚轮直径范围在15mm~40mm。
作为优选,所述滚轮的数量为8个。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,本方案工作时,通过电机提供动力带动滚轮旋转,滚轮上设有的螺纹的螺纹深度范围在0.2mm~2mm,螺纹的螺纹间距范围在0.2mm~3mm,滚辊转动带起酸液及毛细作用,硅片基本与酸液完全接触,整面均匀腐蚀,避免了硅片尾端会出现一条腐蚀较深的亮边,与现有技术的螺纹滚轮带液刻蚀相比,硅片与酸液接触面积更大,整片硅片平均与酸液接触时间更长,因此同样的腐蚀量需求下,本实用新型所需酸液浓度更小,所需反应温度更低,由于挥发、溢流造成的酸排放量更低;本方案解决了亮边造成的背面外观异常,提升产品外观良率,同时又能降低酸耗。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造