[实用新型]一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201920491294.0 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209747523U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 赵天石;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴;吴音<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管，包括衬底、电极、绝缘层和半导体层；所述电极分为栅电极、源电极和漏电极；所述衬底上设置有绝缘层；所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极；所述绝缘层上设置有半导体层；所述半导体层上设置有源电极和漏电极。本实用新型半导体层的结合能较高，比较稳定，具有很高的抗偏压、抗辐射特性；制备中通过深紫外退火，起到提高整个器件性能、匹配柔性衬底温度的作用；本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体层 衬底 退火 本实用新型 漏电极 源电极 栅电极 电极 结合能 高性能薄膜 器件性能 工艺流程 抗辐射 纳米簇 晶体管 制备 生产成本 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底、电极、绝缘层和半导体层；所述电极分为栅电极、源电极和漏电极；所述衬底上设置有绝缘层；所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极；所述绝缘层上设置有半导体层；所述半导体层上设置有源电极和漏电极；所述衬底为柔性材料；所述绝缘层为纳米簇材料；所述半导体层为金属氧化物半导体层。/n
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