[实用新型]一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201920491294.0 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN209747523U 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 赵天石;赵春;赵策洲;杨莉 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 范晴;吴音<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 绝缘层 半导体层 衬底 退火 本实用新型 漏电极 源电极 栅电极 电极 结合能 高性能薄膜 器件性能 工艺流程 抗辐射 纳米簇 晶体管 制备 生产成本 匹配
【权利要求书】:

1.一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,其特征在于:包括衬底、电极、绝缘层和半导体层;所述电极分为栅电极、源电极和漏电极;所述衬底上设置有绝缘层;所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极;所述绝缘层上设置有半导体层;所述半导体层上设置有源电极和漏电极;所述衬底为柔性材料;所述绝缘层为纳米簇材料;所述半导体层为金属氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,其特征在于:所述电极的材料为金。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,其特征在于:所述绝缘层为水溶液法制备的铪掺杂氧化铝纳米簇材料。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,其特征在于:所述半导体层为锌锡氧材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,其特征在于:所述衬底为柔性透明材料聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚乙烯萘树脂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西交利物浦大学,未经西交利物浦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920491294.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top