[实用新型]一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201920490045.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209747522U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/778 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴;吴音<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。本实用新型是成本低廉，工艺简单，安全环保的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体 双层金属 异质结 金属氧化物半导体层 薄膜晶体管 本实用新型 栅极绝缘层 漏电极 源电极 栅电极 衬底 绝缘 安全环保 依次设置 第一层 顶层 | ||
【主权项】：
1.一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；所述绝缘衬底位于最底层，所述绝缘衬底之上自下而上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；所述双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；所述双层金属氧化物半导体异质结包括采用溶液燃烧法在栅极绝缘层上形成的第一层金属氧化物半导体层和采用溶液燃烧法在第一层金属氧化物半导体层上形成的第二层金属氧化物半导体层；所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层之间形成了二维电子气。/n
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