[实用新型]一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201920490045.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209747522U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/778 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范晴;吴音<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体 双层金属 异质结 金属氧化物半导体层 薄膜晶体管 本实用新型 栅极绝缘层 漏电极 源电极 栅电极 衬底 绝缘 安全环保 依次设置 第一层 顶层 | ||
1.一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；所述绝缘衬底位于最底层，所述绝缘衬底之上自下而上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；所述双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；所述双层金属氧化物半导体异质结包括采用溶液燃烧法在栅极绝缘层上形成的第一层金属氧化物半导体层和采用溶液燃烧法在第一层金属氧化物半导体层上形成的第二层金属氧化物半导体层；所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层之间形成了二维电子气。
2.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：所述第一层金属氧化物半导体层与第二层金属氧化物半导体层为溶液燃烧法制备的碱金属参杂ZnO金属氧化物半导体层或In2O3金属氧化物半导体层。
3.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极绝缘层为溶液燃烧法制备的氧化镓，氧化铪，氧化铝或氧化钪栅极绝缘层。
4.根据权利要求1所述的一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，其特征在于：采用喷墨印刷，光刻，丝网印刷或者使用一定图案的掩膜进行热蒸度或电子束蒸镀的方法在绝缘衬底的上表面上形成栅电极；采用丝网印刷，光刻，喷墨印刷或者使用一定图案的掩膜进行热蒸度或电子束蒸镀的方法在双层金属氧化物半导体异质结上分别形成源电极和漏电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西交利物浦大学，未经西交利物浦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920490045.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高电子迁移率晶体管
- 下一篇：一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管
- 同类专利
- 专利分类
