[实用新型]采用2D材料磊晶去疵单晶基板

摘要

本实用新型公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的条件范围为：晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10‑6℃‑1。本实用新型可获得高质量GaN单晶基板，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本大大降低，有利于市场推广应用。