[实用新型]采用2D材料磊晶去疵单晶基板

权利要求书

1.采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：在GaN单晶基板或GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长GaN或GaN基外延层，2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成，准同质材料单晶基板外延的晶格常数不匹配度不大于5％以及热膨胀系数差异不大于1.5×10^-6℃^-1。

2.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述2D材料超薄层的厚度范围在0.5nm到1000nm。

3.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述2D材料超薄层为具阻隔效果的单一材料。

4.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述2D材料超薄层为复合层结构，顶层采用与GaN晶格匹配或高表面能的2D材料，而底层具采用阻隔效果的2D材料。

5.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述GaN或GaN基外延层是指高结晶性，XRD FWHM低于400arcsec。

6.如权利要求1所述的采用2D材料磊晶去疵单晶基板，其特征在于：所述基板和中介层之间加入金属催化层，金属催化层总厚度范围在0.5nm到3000nm，金属催化层包括Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、W、Mo、Ru或Pt。