[实用新型]半导体互连结构有效
| 申请号： | 201920439261.1 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN210015847U | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括：第一半导体结构，上表面为第一介质层，第一介质层包括第一导电结构；第二半导体结构，键合于第一介质层，上表面为第二介质层；第二导电结构，位于第二介质层；第三导电结构，位于第二介质层的上表面；第四导电结构，下表面连接于第二导电结构，上表面连接于第三导电结构；第五导电结构，经过第一介质层和第二半导体结构，下表面连接于第一导电结构，上表面连接于第三导电结构；其中，第三导电结构、第四导电结构和第五导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。本公开提供的半导体互连结构可以降低半导体互连结构的电阻、增强结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 介质层 上表面 互连结构 半导体结构 半导体 下表面 导电材料填充 增强结构 电阻 键合 制程 | ||
【主权项】：
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：/n第一半导体结构，上表面为第一介质层，所述第一介质层包括第一导电结构；/n第二半导体结构，键合于所述第一介质层，上表面为第二介质层；/n第二导电结构，位于所述第二介质层；/n第三导电结构，位于所述第二介质层的上表面；/n第四导电结构，下表面连接于所述第二导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；/n第五导电结构，经过所述第一介质层和所述第二半导体结构，下表面连接于所述第一导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；/n其中，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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