[实用新型]半导体互连结构

权利要求书

1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：

第一半导体结构，上表面为第一介质层，所述第一介质层包括第一导电结构；

第二半导体结构，键合于所述第一介质层，上表面为第二介质层；

第二导电结构，位于所述第二介质层；

第三导电结构，位于所述第二介质层的上表面；

第四导电结构，下表面连接于所述第二导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；

第五导电结构，经过所述第一介质层和所述第二半导体结构，下表面连接于所述第一导电结构，上表面连接于所述第三导电结构；

其中，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构通过同一次导电材料填充制程形成。

2.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构的制作过程包括：

通过第一光刻制程在所述第二介质层上蚀刻导线沟槽；

通过第二光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻第一垂直通孔，使所述第一垂直通孔经过所述第二半导体结构和所述第一介质层，底部露出所述第一导电结构；

通过第三光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构；

一次性填充导电材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述导线沟槽，以一次性形成所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构。

3.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构的制作过程包括：

通过第一光刻制程在所述第二半导体结构和所述第一介质层中蚀刻第一垂直通孔，使所述垂直通孔的底部露出所述第一导电结构；

通过第二光刻制程在所述第二介质层上蚀刻导线沟槽；

通过第三光刻制程在所述导线沟槽的下表面蚀刻第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构；

一次性填充导电材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述导线沟槽，以一次性形成所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构。

4.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构的制作过程包括：

通过第一光刻制程在所述第二半导体结构和所述第一介质层中蚀刻第一垂直通孔，使所述垂直通孔的底部露出所述第一导电结构；

通过第二光刻制程在所述第二介质层中蚀刻第二垂直通孔，使所述第二垂直通孔的底部露出所述第二导电结构；

通过第三光刻制程在所述第二介质层上蚀刻连通所述第一垂直通孔和所述第二垂直通孔的导线沟槽；

一次性填充导电材料至所述第一垂直通孔、所述第二垂直通孔和所述导线沟槽，以一次性形成所述第三导电结构、所述第四导电结构和所述第五导电结构。

5.如权利要求2、3、4任一项所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一垂直通孔与所述导线沟槽的连接处包括第一倒角和第二倒角。

6.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一导电结构为焊盘或导线，所述第二导电结构为焊盘或导线，所述第三导电结构为导线。

7.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一半导体结构包括交替层叠的多个介质层与多层晶圆。

8.如权利要求1或7所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第二半导体结构包括交替层叠的多个介质层与多层晶圆。

9.如权利要求2、3、4任一项所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第二垂直通孔与所述导线沟槽的连接处包括第一倒角和第二倒角。

10.如权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述第一导电结构、所述第二导电结构、所述第三导电结构的导电材质相同。