[实用新型]发光二极管芯片、发光二极管有效
| 申请号： | 201920414258.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209766464U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;吴志浩;高艳龙;魏柏林;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片、发光二极管，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和隔水层，未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层的第一边缘区域设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层的非边缘区域上，P型半导体层的第二边缘区域设有至少延伸至未掺杂半导体层的第二凹槽，隔水层至少铺设在第二凹槽的底面上。本实用新型可以有效避免P型半导体层正下方的N型半导体层被腐蚀，大大改善发光二极管芯片的腐蚀情况。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 未掺杂半导体层 本实用新型 衬底 源层 半导体技术领域 第二边缘区域 第一边缘区域 腐蚀 发光二极管 非边缘区域 依次层叠 延伸 铺设 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底(10)、未掺杂半导体层(21)、N型半导体层(22)、有源层(23)、P型半导体层(24)、N型电极(31)、P型电极(32)和隔水层(40)；所述未掺杂半导体层(21)、所述N型半导体层(22)、所述有源层(23)、所述P型半导体层(24)依次层叠在所述衬底(10)上；所述P型半导体层(24)的第一边缘区域设有延伸至所述N型半导体层(22)的第一凹槽(100)，所述N型电极(31)设置在所述第一凹槽(100)内的N型半导体层(22)上，所述P型电极(32)设置在所述P型半导体层(24)的非边缘区域上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域设有至少延伸至所述未掺杂半导体层的第二凹槽(200)，所述隔水层(40)至少铺设在所述第二凹槽(200)的底面(210)上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域和所述P型半导体层(24)的第一边缘区域围成所述P型半导体层(24)的整个边缘区域，所述P型半导体层(24)的边缘区域为自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的区域，所述P型半导体层(24)的侧面垂直于所述P型半导体层(24)设置在所述有源层(23)上的表面。/n
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