[实用新型]发光二极管芯片、发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底(10)、未掺杂半导体层(21)、N型半导体层(22)、有源层(23)、P型半导体层(24)、N型电极(31)、P型电极(32)和隔水层(40)；所述未掺杂半导体层(21)、所述N型半导体层(22)、所述有源层(23)、所述P型半导体层(24)依次层叠在所述衬底(10)上；所述P型半导体层(24)的第一边缘区域设有延伸至所述N型半导体层(22)的第一凹槽(100)，所述N型电极(31)设置在所述第一凹槽(100)内的N型半导体层(22)上，所述P型电极(32)设置在所述P型半导体层(24)的非边缘区域上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域设有至少延伸至所述未掺杂半导体层的第二凹槽(200)，所述隔水层(40)至少铺设在所述第二凹槽(200)的底面(210)上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域和所述P型半导体层(24)的第一边缘区域围成所述P型半导体层(24)的整个边缘区域，所述P型半导体层(24)的边缘区域为自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的区域，所述P型半导体层(24)的侧面垂直于所述P型半导体层(24)设置在所述有源层(23)上的表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)在自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的方向上的宽度w为1μm～4μm。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述隔水层(40)包括依次层叠的氮化硅层(41)和二氧化硅层(42)。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述二氧化硅层(42)的厚度为所述氮化硅层(41)的厚度的3倍～5倍。

5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述隔水层(40)还铺设在所述第二凹槽(200)的侧面(220)上。

6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)的侧面(220)与所述第二凹槽(200)的底面(210)之间的夹角α为95°～115°。

7.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)的底面(210)为具有至少两个台阶(210a)的台阶状结构，所述台阶状结构中各个台阶(210a)的高度在自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的方向上逐渐增大。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述台阶状结构中各个台阶(210a)的宽度自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的方向上逐渐增大。

9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述台阶状结构中台阶(210a)的数量为2个～5个。

10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括固定支架(51)、荧光粉(52)、散热基座(53)、焊盘(54)、电极引脚(55)和如权利要求1～9任一项所述的发光二极管芯片(300)，所述散热基座(53)和所述焊盘(54)固定设置在所述固定支架(51)的同一表面上，所述衬底(10)固定设置在所述散热基座(53)上，所述N型电极(31)和所述P型电极(32)分别通过电线(400)与不同的所述焊盘(54)连接，所述荧光粉(52)覆盖在所述发光二极管芯片(300)、所述焊盘(54)、所述固定支架(51)设置所述散热基座(53)和所述焊盘(54)的表面上并包裹在所述电线(400)外，所述电极引脚(55)与所述焊盘(54)连接并向远离所述荧光粉(52)的方向延伸。