[实用新型]基于超晶格势垒量子阱结构的LED

摘要

本实用新型提供一种基于超晶格势垒量子阱结构的LED，属于半导体技术领域。包括：蓝宝石衬底；设于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设于n型GaN层上面的量子阱区，量子阱区从下至上包括8～15周期的第一区域和3～10周期的第二区域，第一区域包括从下至上设的3～10周期的超晶格Al_xIn_yGa_1‑x‑yN/GaN势垒层和InGaN势阱层，第二区域包括3～10周期的Al_xIn_yGa_1‑x‑yN/GaN势垒层；设于第二区域上面的p型AlGaN电子阻挡层；设于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设于p型GaN层上面的电极接触层。本实用新型实施例提高了电子和空穴的注入效率和增加对电子的束缚能力，减少了电子泄漏，使电子和空穴的辐射复合效率增加。

主权项

1.一种基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，包括：蓝宝石衬底；设置于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；设置于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；设置于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；设置于n型GaN层上面的量子阱区，所述量子阱区从下至上包括8～15周期的第一区域和3～10周期的第二区域，所述第一区域包括从下至上设置的3～10周期的超晶格Al_xIn_yGa_1‑x‑yN/GaN势垒层和InGaN势阱层，所述第二区域包括3～10周期的Al_xIn_yGa_1‑x‑yN/GaN势垒层；设置于第二区域上面的p型AlGaN电子阻挡层；设置于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；设置于p型GaN层上面的电极接触层。