[实用新型]基于超晶格势垒量子阱结构的LED有效
| 申请号： | 201920401418.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN209461482U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;贾志刚;关永莉;梁建;米洪龙;许并社;陈永寿;陕志芳 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 031600 山西省临汾市洪*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二区域 超晶格 空穴 本实用新型 量子阱结构 蓝宝石 第一区域 量子阱区 势垒层 未掺杂 形核层 衬底 势垒 半导体技术领域 辐射复合效率 电极接触层 电子泄漏 束缚能力 注入效率 势阱层 | ||
1.一种基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，包括：
蓝宝石衬底；
设置于蓝宝石衬底上面的GaN形核层；
设置于GaN形核层上面的未掺杂的GaN层；
设置于未掺杂的GaN层上面的n型GaN层；
设置于n型GaN层上面的量子阱区，所述量子阱区从下至上包括8～15周期的第一区域和3～10周期的第二区域，所述第一区域包括从下至上设置的3～10周期的超晶格AlxInyGa1-x-yN/GaN势垒层和InGaN势阱层，所述第二区域包括3～10周期的AlxInyGa1-x-yN/GaN势垒层；
设置于第二区域上面的p型AlGaN电子阻挡层；
设置于p型AlGaN电子阻挡层上面的p型GaN层；
设置于p型GaN层上面的电极接触层。
2.根据权利要求1所述的基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，所述n型GaN层为Si掺杂的n型GaN层。
3.根据权利要求1所述的基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，所述p型GaN层为Mg掺杂的p型GaN层。
4.根据权利要求1所述的基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为300～400μm；所述GaN形核层的厚度为20～30nm；所述未掺杂的GaN层的厚度为1.5～2.5μm；所述n型GaN层的厚度为1～2μm；所述p型AlGaN电子阻挡层的厚度为40～80nm；所述p型GaN层的厚度为200～300nm；所述电极接触层的厚度为50～100nm。
5.根据权利要求1所述的基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，每个周期的超晶格AlxInyGa1-x-yN/GaN势垒层中超晶格AlxInyGa1-x-yN垒层的厚度为3～10nm，超晶格GaN层的厚度为3～10nm。
6.根据权利要求1所述的基于超晶格势垒量子阱结构的LED，其特征在于，所述InGaN势阱层的厚度为3～10nm。
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