[实用新型]掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201920375640.9 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN210296384U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 任舰 | 申请（专利权）人： | 淮阴师范学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223300 江苏省淮安*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，它涉及半导体功率器件制造技术领域。一种掺杂HfO2铁电栅介质的InAlNGaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、栅介质层、SiN钝化层、栅极、源极、漏极，SiC衬底上方形成GaN成核层，GaN成核层上方为GaN缓冲层，AlN插入层上表面形成InAlN势垒层，栅介质层设在GaN帽层上表面，栅介质层上表面形成栅极，源极设置在漏极左侧。采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果为：它的设计合理，避免了逆压电效应的前提下，进一步降低栅漏电流，同时提高阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 hfo2 铁电栅 inalngan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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