[实用新型]掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201920375640.9 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN210296384U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 任舰 | 申请（专利权）人： | 淮阴师范学院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223300 江苏省淮安*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 hfo2 铁电栅 inalngan hemt 器件 | ||
1.掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：它包含SiC衬底(1)、GaN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、InAlN势垒层(5)、GaN帽层(6)、栅介质层(7)、SiN钝化层(8)、栅极(9)、源极(10)、漏极(11)，SiC衬底(1)上方形成GaN成核层(2)，GaN成核层(2)上方为GaN缓冲层(3)，AlN插入层(4)设在GaN缓冲层(3)上表面，AlN插入层(4)上表面形成InAlN势垒层(5)，InAlN势垒层(5)上表面形成GaN帽层(6)，栅介质层(7)设在GaN帽层(6)上表面，SiN钝化层(8)形成在栅介质层(7)外侧，栅介质层(7)上表面形成栅极(9)，源极(10)设置在漏极(11)左侧。
2.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的GaN成核层(2)的厚度为30nm。
3.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的GaN缓冲层(3)的厚度为3μm。
4.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的AlN插入层(4)的厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的InAlN势垒层(5)的厚度为10nm。
6.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的GaN帽层(6)的厚度为2nm。
7.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的栅介质层(7)为材料，且栅介质层(7)的厚度为50nm。
8.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的SiN钝化层(8)的厚度为150nm。
9.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的栅极(9)为Ni/Au材料，Ni和Au的厚度分别为50nm、300nm。
10.根据权利要求1所述的掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，其特征在于：所述的源极(10)和漏极(11)始于GaN缓冲层(3)上部，源极(10)和漏极(11)贯穿InAlN势垒层(5)，且源极(10)和漏极(11)止于InAlN势垒层(5)上部，源极(10)和漏极(11)为欧姆接触，且源极(10)和漏极(11)为Ti/Al/Ti/Au材料，Ti、Al、Ti和Au的厚度分别为30nm、120nm、50nm、100nm。
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