[实用新型]一种高压功率PMOSFET驱动电路有效
申请号: | 201920371915.1 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN209375453U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 徐宏林;吴俊杰;张浩;刘海涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十四研究所 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 高娇阳 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高压功率PMOSFET驱动电路,包括参考电压产生单元,电压跟随器,低压差线性稳压器,电平转换器Ⅰ,高侧栅极驱动器,TTL电平转换器,死区发生器,电平转换器Ⅱ,有源泄放电路,功率PMOSFET,负载;本实用新型采用灵活可调整的高压功率PMOSFET驱动电路,提高了系统的应用适应性。通过片上熔丝调整或者片外电阻调节的方式获取不同的电压跟随器输出参考电压,方法简单灵活。能够有效的降低设计的难度,扩展系统的应用范围,从而降低了系统的开发成本。 | ||
搜索关键词: | 高压功率 驱动电路 本实用新型 电平转换器 电压跟随器 参考电压产生单元 低压差线性稳压器 转换器 输出参考电压 死区发生器 应用适应性 栅极驱动器 方式获取 扩展系统 片外电阻 泄放电路 可调整 灵活 高侧 熔丝 应用 开发 | ||
【主权项】:
1.一种高压功率PMOSFET驱动电路,其特征在于,包括参考电压产生单元,电压跟随器,低压差线性稳压器,电平转换器Ⅰ,高侧栅极驱动器,TTL电平转换器,死区发生器,电平转换器Ⅱ,有源泄放电路,功率PMOSFET,负载;参考电压产生单元的输入端与电源VCC相连;参考电压产生单元的输入端同时与低压差线性稳压器的输出端相连;参考电压产生单元的输出端与电压跟随器的输入端相连;电压跟随器的输出端与高侧栅极驱动器的其中一个输入端相连;低压差线性稳压器的输入端与电源VCC相连;低压差线性稳压器的输出端与TTL电平转换器的输入端相连;低压差线性稳压器的输出端同时与死区发生器的输入端相连;电平转换器Ⅰ的输入端与死区发生器的其中一个输出端相连;电平转换器Ⅰ的输出端与高侧栅极驱动器的输入端相连;高侧栅极驱动器的输出端与功率PMOSFET的栅极相连;TTL电平转换器的输入端与输入信号端口IN相连;TTL电平转换器的输出端与死区发生器的输入端相连;死区发生器的输出端与电平转换器Ⅱ的输入端相连;电平转换器Ⅱ的输出端与有源泄放电路的输入端相连;有源泄放电路的输出端与功率PMOSFET的一端相连;有源泄放电路的输出端同时与负载的输入端相连;功率PMOSFET的输入端与高压VCC相连;功率PMOSFET的输出端与负载的输入端相连;负载的输入端与地GND相连。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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