[实用新型]一种高压功率PMOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种高压功率PMOSFET驱动电路，其特征在于，包括参考电压产生单元，电压跟随器，低压差线性稳压器，电平转换器Ⅰ，高侧栅极驱动器，TTL电平转换器，死区发生器，电平转换器Ⅱ，有源泄放电路，功率PMOSFET，负载；

参考电压产生单元的输入端与电源VCC相连；

参考电压产生单元的输入端同时与低压差线性稳压器的输出端相连；

参考电压产生单元的输出端与电压跟随器的输入端相连；

电压跟随器的输出端与高侧栅极驱动器的其中一个输入端相连；

低压差线性稳压器的输入端与电源VCC相连；

低压差线性稳压器的输出端与TTL电平转换器的输入端相连；

低压差线性稳压器的输出端同时与死区发生器的输入端相连；

电平转换器Ⅰ的输入端与死区发生器的其中一个输出端相连；

电平转换器Ⅰ的输出端与高侧栅极驱动器的输入端相连；

高侧栅极驱动器的输出端与功率PMOSFET的栅极相连；

TTL电平转换器的输入端与输入信号端口IN相连；

TTL电平转换器的输出端与死区发生器的输入端相连；

死区发生器的输出端与电平转换器Ⅱ的输入端相连；

电平转换器Ⅱ的输出端与有源泄放电路的输入端相连；

有源泄放电路的输出端与功率PMOSFET的一端相连；

有源泄放电路的输出端同时与负载的输入端相连；

功率PMOSFET的输入端与高压VCC相连；

功率PMOSFET的输出端与负载的输入端相连；

负载的输入端与地GND相连。

2.根据权利要求1所述一种高压功率PMOSFET驱动电路，其特征在于，参考电压产生单元包括高压放大器OP和电阻R1、R2、R3、R4；电阻R1一端与高压电源VCC相连，另一端与放大器OP的正向输入端相连，电阻R1的另一端同时与电阻R2的一端相连；电阻R2的一端同时与放大器OP的正向输入端相连，电阻R2另一端接地；

放大器OP的负向输入端与电阻R3的一端和电阻R4的一端相连；

放大器OP的输出端与电阻R4的另一端相连；

放大器OP的输出端同时与电压跟随器的输入端相连；

电阻R3的另一端与低压差线性稳压器的输出端Vr相连；

电阻R4的另一端与电压跟随器的输入端相连。