[实用新型]双曲率台面晶闸管有效
| 申请号： | 201920356726.7 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN209981220U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 何春海;沈一舟;张俊 | 申请（专利权）人： | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11614 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹慧晶 |
| 地址： | 214205 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双曲率台面晶闸管，该台面晶闸管在PN结J1和J2所对应的台面区域分别具有一个曲面；PN结J1所对应台面区域的曲率半径大于PN结J2所对应台面区域的曲率半径。PN结J1所对应台面区域的曲率半径为100～200微米，优选120微米；PN结J2所对应台面区域的曲率半径为30～90微米，优选60微米。本实用新型采用双曲率台面结构生产可控硅产品，更加有效的提高了PN结处的空间展宽，从而显著的提高了可控硅产品的击穿电压，击穿电压能达到2000～2500V，同时由于优化了两次台面槽的宽度，从而更加提高了可控硅产品的有源区面积，降低了可控硅的通态压降，提高了可控硅产品的过流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 台面区域 可控硅 本实用新型 击穿电压 晶闸管 双曲率 台面 优选 过流能力 台面结构 通态压降 台面槽 源区 优化 生产 | ||
【主权项】：
1.一种双曲率台面晶闸管，其特征在于，该台面晶闸管在PN结J1和J2所对应的台面区域分别具有一个曲面；PN结J1所对应台面区域的曲率半径大于PN结J2所对应台面区域的曲率半径。/n
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