[实用新型]双曲率台面晶闸管

说明书

本实用新型提供一种双曲率台面晶闸管，该台面晶闸管在PN结J1和J2所对应的台面区域分别具有一个曲面；PN结J1所对应台面区域的曲率半径大于PN结J2所对应台面区域的曲率半径。PN结J1所对应台面区域的曲率半径为100～200微米，优选120微米；PN结J2所对应台面区域的曲率半径为30～90微米，优选60微米。本实用新型采用双曲率台面结构生产可控硅产品，更加有效的提高了PN结处的空间展宽，从而显著的提高了可控硅产品的击穿电压，击穿电压能达到2000～2500V，同时由于优化了两次台面槽的宽度，从而更加提高了可控硅产品的有源区面积，降低了可控硅的通态压降，提高了可控硅产品的过流能力。

技术领域

本实用新型涉及一种台面晶闸管，具体地涉及双曲率台面结构的晶闸管。

背景技术

在现有的可控硅产品的设计中，一般都是采用台面结构，如图2所示，将可控硅的PN结J1和J2结形成曲率半径为100～200微米和曲率半径为30～90微米的台面，提高J1和J2PN结的少数载流子的空间展宽，从而提高可控硅的击穿电压，但是，现有可控硅生产工艺技术，很难达到2000V以上的高压。

有鉴于现有技术的上述缺陷，需要一种提高可控硅电压的新型方法。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对可控硅电压不够高的问题，提出一种设计结构，以克服现有技术上的电压缺陷，该结构能够有效的提高可控硅的击穿电压，不改变其余参数，同时还能有效提高源区面积，降低可控硅的饱和压降。

本实用新型的技术方案是：

一种双曲率台面晶闸管，该台面晶闸管在PN结J1和J2所对应的台面区域分别具有一个曲面。

进一步地，PN结J1所对应台面区域的曲率半径大于PN结J2所对应台面区域的曲率半径。

进一步地，PN结J1所对应台面区域的曲率半径为100～200微米，优选120微米。

进一步地，PN结J2所对应台面区域的曲率半径为30～90微米，优选60微米。

本实用新型的有益效果：

本实用新型采用双曲率台面结构生产可控硅产品，更加有效的提高了PN结处的空间展宽，从而显著的提高了可控硅产品的击穿电压，击穿电压能达到2000～2500V，同时由于优化了两次台面槽的宽度，从而更加提高了可控硅产品的有源区面积，降低了可控硅的通态压降，提高了可控硅产品的过流能力。

本实用新型的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

通过结合附图对本实用新型示例性实施方式进行更详细的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本实用新型示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1为本实用新型中双曲率台面结构示意图。

图2为背景技术中现有台面结构示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本实用新型的优选实施方式。虽然附图中显示了本实用新型的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施方式所限制。

如图1所示，本实用新型提供一种双曲率台面晶闸管，该台面晶闸管在PN结J1和J2所对应的台面区域分别具有一个曲面。

进一步地，PN结J1所对应台面区域的曲率半径大于PN结J2所对应台面区域的曲率半径。

在本实用新型的一个实施例中，PN结J1所对应的台面区域的曲率半径为100～200微米，优选120微米；PN结J2所对应的台面区域的曲率半径为30～90微米，优选60微米。