[实用新型]一种优化的深沟道半导体器件终端

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其为一种优化的深沟道半导体器件终端，包括有虚拟设置的虚线，虚线向左为半导体有源元胞区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源元胞区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围有源区，器件基于第一导电类型衬底上生长的第一导电类型漂移区，第一导电型衬底下端连接漏极金属，第一导电类型漂移一区上面设有第二导电类型体区，第一沟槽和第二沟槽位于第二导电类型体区并深入到外延层。本实用新型通过在深沟槽底部注入第二导电类型杂质，形成较深的场限环，使得沟槽底部电场得以分散，终端耐压高于有源区，可靠性提高。

主权项

1.一种优化的深沟道半导体器件终端，包括有虚拟设置的虚线，其特征在于，所述虚线向左为半导体有源元胞区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源元胞区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围所述有源区，器件基于第一导电类型衬底上生长的第一导电类型漂移区，第一导电型衬底下端连接漏极金属，第一导电类型漂移一区上面设有第二导电类型体区，第一沟槽和第二沟槽位于第二导电类型体区并深入到外延层，第一沟槽和第二沟槽内长有一定厚度的绝缘介质层作为场屏蔽绝缘层，其次填充有第一导电多晶硅、第二导电多晶硅、第三导电多晶硅、第四导电多晶硅、第五导电多晶硅、第六导电多晶硅，有源区的第二导电类型体区上有第一导电类型源极区，第一导电类型源极区连接源极金属，有源区沟槽内有源极多晶硅和第二导电多晶硅，它们分别连接源极金属和栅极金属，在终端保护区的深沟道底部有第二导电类型第二阱区A充当场限环，终端第二导电类型第一阱区A为浮动mesa不连接电极，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区B，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区C，源极多晶硅向外连接第二导电类型第二阱区B，依次类推，每一个源极多晶硅都向外连接到下一个相邻的第二导电类型第二阱区。/n