[实用新型]一种优化的深沟道半导体器件终端

权利要求书

1.一种优化的深沟道半导体器件终端，包括有虚拟设置的虚线，其特征在于，所述虚线向左为半导体有源元胞区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源元胞区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围所述有源区，器件基于第一导电类型衬底上生长的第一导电类型漂移区，第一导电型衬底下端连接漏极金属，第一导电类型漂移一区上面设有第二导电类型体区，第一沟槽和第二沟槽位于第二导电类型体区并深入到外延层，第一沟槽和第二沟槽内长有一定厚度的绝缘介质层作为场屏蔽绝缘层，其次填充有第一导电多晶硅、第二导电多晶硅、第三导电多晶硅、第四导电多晶硅、第五导电多晶硅、第六导电多晶硅，有源区的第二导电类型体区上有第一导电类型源极区，第一导电类型源极区连接源极金属，有源区沟槽内有源极多晶硅和第二导电多晶硅，它们分别连接源极金属和栅极金属，在终端保护区的深沟道底部有第二导电类型第二阱区A充当场限环，终端第二导电类型第一阱区A为浮动mesa不连接电极，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区B，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区C，源极多晶硅向外连接第二导电类型第二阱区B，依次类推，每一个源极多晶硅都向外连接到下一个相邻的第二导电类型第二阱区。

2.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，所述有源区内第一沟槽和终端保护区内第二沟槽的宽度可以一样，也可以不一样，深度可以一样，也可以不一样，深沟槽内的场屏蔽绝缘介质在有源区和终端保护区可以厚度一样，也可以厚度不一样。

3.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，所述有源区内，相邻第一沟槽间的间距相同，而在终端保护区内，第二沟槽与有源区最后一个第一沟槽间距小于或等于有源区相邻沟槽间距，之后相邻第二沟槽之间间距与有源区相同或沿有源区指向终端保护区的方向逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，所述第二导电类型第一阱区A、第二导电类型第一阱区B、第二导电类型第一阱区C和第二导电类型第二阱区A可在同一道工艺注入形成，其注入能量范围为10KeV-200KeV,注入剂量范围为10¹²-10¹⁶。

5.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，所述终端保护区的深沟槽及场限环设计个数可以是多于或等于一个，由外延层和器件有源区击穿电压决定。

6.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，所述有源区结构可以使上下结构，也可以是左右结构，第二导电多晶硅可以在源极多晶硅上面纵向以绝缘介质层与之隔离,也可以第二导电多晶硅环绕与源极多晶硅，并以绝缘介质层与之横向隔离。

7.根据权利要求1所述的一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，当器件耐压时，终端第一浮动mesa设计使得有源区最后一个mesa仍然可以处于电荷平衡状态，且沟槽下端漂移区电压在深沟道场限环的帮助下横向延展，终端导电多晶硅连接到下一个mesa可以使得场限环效应在沟道间有效传递，合理的终端深沟道场限环排列会使得终端耐压不受有源区耐压局限，从而得到高于有源区的耐压。