[实用新型]强光手电筒快速充电电路有效
| 申请号： | 201920188738.3 | 申请日： | 2019-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN209279109U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 熊浩 | 申请（专利权）人： | 熊浩 |
| 主分类号： | F21V23/02 | 分类号： | F21V23/02;F21V23/04;F21V23/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650235 云南省昆明市官*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型提供强光手电筒快速充电电路，其包括电阻R1（1）、N沟道MOSFET Q1（2）、NPN型三极管Q2（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、NPN型三极管Q3（6）、稳压二极管D1（7）、5K可调电阻RV1（8）、电阻R4（9）。本实用新型N沟道MOSFET Q1（2）栅极与漏极之间的电压差高于开启电压，其导通，+15VDC通过电阻R2（4）给9VDC充电电池充电，如果电流大于5A以上，NPN型三极管Q2（3）导通，降低N沟道MOSFET Q1（2）电流通路开启程度，控制9VDC充电电池的充电电流在5A以内；9VDC充电电池充电到9.3VDC，NPN型三极管Q3（6）导通，N沟道MOSFET Q1（2）栅极电压低于漏极电压，N沟道MOSFET Q1（2）截止，充电结束，此电路既保证了充电速度、充电安全，也保证了充电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 充电电池 充电 导通 快速充电电路 本实用新型 强光手电筒 稳压二极管 充电安全 充电电流 充电效率 电流通路 开启电压 可调电阻 漏极电压 栅极电压 电压差 漏极 电路 截止 保证 | ||
【主权项】：
1.强光手电筒快速充电电路， 其特征在于：包括电阻R1（1）、N沟道MOSFETQ1（2）、NPN型三极管Q2（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、NPN型三极管Q3（6）、稳压二极管D1（7）、5K可调电阻RV1（8）、电阻R4（9）；所述N沟道MOSFETQ1（2）源极接+15伏电源、电阻R1（1）上端；所述N沟道MOSFETQ1（2）栅极接R1（1）下端、NPN型三极管Q2（3）集电极、NPN型三极管Q3（6）集电极；所述N沟道MOSFETQ1（2）漏极接稳压二极管D1（7）上端；所述N沟道MOSFETQ1（2）漏极接NPN型三极管Q2（3）基极、电阻R2（4）左端；所述NPN型三极管Q3（6）发射极接稳压二极管D1（7）上端；所述NPN型三极管Q3（6）基极接5K可调电阻RV1（8）接出端；9.2VDC4A输出端接电阻R2（4）左端、NPN型三极管Q2（3）发射极、电阻R3（5）上端；5K可调电阻RV1（8）上端接电阻R3（5）下端；5K可调电阻RV1（8）下端接电阻R4（9）上端；所述+15VDC经过电阻R1（1）供给N沟道MOSFET Q1（2）栅极，如果栅极与漏极之间的电压差高于N沟道MOSFET Q1（2）开启电压，N沟道MOSFET Q1（2）导通，15VDC通过电阻R2（4）给9VDC充电电池充电，在正常情况下，如果电流大于5A以上，NPN型三极管Q2（3）就会导通，在保持充电的时候，会降低N沟道MOSFET Q1（2）电流通路的开启程度，把对9VDC充电电池的充电电流控制在5A以内；9VDC充电电池充电到9.3VDC，NPN型三极管Q3（6）导通，N沟道MOSFET Q1（2）栅极电压低于漏极电压，N沟道MOSFET Q1（2）截止，充电结束，此电路既保证了充电速度、充电安全，也保证了充电效率。
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