[实用新型]强光手电筒快速充电电路有效
| 申请号： | 201920188738.3 | 申请日： | 2019-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN209279109U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 熊浩 | 申请（专利权）人： | 熊浩 |
| 主分类号： | F21V23/02 | 分类号： | F21V23/02;F21V23/04;F21V23/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650235 云南省昆明市官*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 充电电池 充电 导通 快速充电电路 本实用新型 强光手电筒 稳压二极管 充电安全 充电电流 充电效率 电流通路 开启电压 可调电阻 漏极电压 栅极电压 电压差 漏极 电路 截止 保证 | ||
1.强光手电筒快速充电电路， 其特征在于：包括电阻R1（1）、N沟道MOSFETQ1（2）、NPN型三极管Q2（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、NPN型三极管Q3（6）、稳压二极管D1（7）、5K可调电阻RV1（8）、电阻R4（9）；所述N沟道MOSFETQ1（2）源极接+15伏电源、电阻R1（1）上端；所述N沟道MOSFETQ1（2）栅极接R1（1）下端、NPN型三极管Q2（3）集电极、NPN型三极管Q3（6）集电极；所述N沟道MOSFETQ1（2）漏极接稳压二极管D1（7）上端；所述N沟道MOSFETQ1（2）漏极接NPN型三极管Q2（3）基极、电阻R2（4）左端；所述NPN型三极管Q3（6）发射极接稳压二极管D1（7）上端；所述NPN型三极管Q3（6）基极接5K可调电阻RV1（8）接出端；9.2VDC4A输出端接电阻R2（4）左端、NPN型三极管Q2（3）发射极、电阻R3（5）上端；5K可调电阻RV1（8）上端接电阻R3（5）下端；5K可调电阻RV1（8）下端接电阻R4（9）上端；所述+15VDC经过电阻R1（1）供给N沟道MOSFET Q1（2）栅极，如果栅极与漏极之间的电压差高于N沟道MOSFET Q1（2）开启电压，N沟道MOSFET Q1（2）导通，15VDC通过电阻R2（4）给9VDC充电电池充电，在正常情况下，如果电流大于5A以上，NPN型三极管Q2（3）就会导通，在保持充电的时候，会降低N沟道MOSFET Q1（2）电流通路的开启程度，把对9VDC充电电池的充电电流控制在5A以内；9VDC充电电池充电到9.3VDC，NPN型三极管Q3（6）导通，N沟道MOSFET Q1（2）栅极电压低于漏极电压，N沟道MOSFET Q1（2）截止，充电结束，此电路既保证了充电速度、充电安全，也保证了充电效率。
2.根据权利要求1所述的强光手电筒快速充电电路，其特征是所述N沟道MOSFETQ1（2）的型号为IRF5NJZ48。
3.根据权利要求1所述的强光手电筒快速充电电路，其特征是所述NPN型三极管Q2（3）、NPN型三极管Q3（6）的型号为2N2926。
4.根据权利要求1所述的强光手电筒快速充电电路，其特征是所述稳压二极管D1（7）的型号为1N4728A。
5.根据权利要求1所述的强光手电筒快速充电电路，其特征是所述5K可调电阻RV1（8）的型号为0.25W5K可变电阻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熊浩，未经熊浩许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920188738.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏LED灯塑料支架
- 下一篇：一种控制灯的开关
