[实用新型]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201920107121.4 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN209747521U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管，包括：半导体异质结构；第一掺杂栅极区域，在异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；第二掺杂栅极区域，具有与第一掺杂栅极区域接触的第一侧和与异质结构接触的第二侧，第二掺杂栅极区域包含P型的掺杂剂杂质，其中异质结构包括：第一部分，在第二掺杂栅极区域的第二侧处延伸，并且具有第一浓度的P型的掺杂剂杂质；以及第二部分，与第一部分横向地延伸，并且具有低于第一浓度的第二浓度的P型的掺杂剂杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极区域 掺杂剂杂质 掺杂 异质结构 高电子迁移率晶体管 延伸 半导体异质结构 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：/n半导体异质结构；/n第一掺杂栅极区域，在所述异质结构之上延伸并且包含P型的掺杂剂杂质；/n第二掺杂栅极区域，具有与所述第一掺杂栅极区域接触的第一侧和与所述异质结构接触的第二侧，所述第二掺杂栅极区域包含所述P型的掺杂剂杂质，其中所述异质结构包括：/n第一部分，在所述第二掺杂栅极区域的所述第二侧处延伸，并且具有第一浓度的所述P型的掺杂剂杂质；以及/n第二部分，与所述第一部分横向地延伸，并且具有低于所述第一浓度的第二浓度的所述P型的掺杂剂杂质。/n
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